腦電圖導聯(lián)方法及內(nèi)容
更新時間：2013-09-25 13:38:47
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摘要 腦電圖導聯(lián)方法及內(nèi)容
腦電圖導聯(lián)方法及內(nèi)容：
1.單極導聯(lián)法
將頭皮上的作用電極與腦電圖機放大器的柵極1（G1）相接，把無關電極與柵極2（G2）相接。無關電極以耳垂和乳突部位最常用，亦有選擇鼻尖、下頜和頂部者，還有平均參考電極法。
無關電極與作用電極的連接方式：
①一側(cè)作用電極分別與同側(cè)無關電極相連接。
②兩側(cè)無關電極連接在一起再與各個作用電極分別相連。
③兩側(cè)無關電極輪流使用，即兩側(cè)作用電極分別與一側(cè)無關電極相連。
④兩側(cè)無關電極交叉連接。
2.雙極導聯(lián)法
將頭皮上的任意2個作用電極分別與腦電圖機放大器的柵極1（G1）和柵極2（G2）相接，而不使用無關電極的記錄方法。常用的有縱聯(lián)、外聯(lián)、環(huán)狀聯(lián)、橫聯(lián)、三角導聯(lián)等。
3.三角導聯(lián)法
當在單、雙極腦電描記中發(fā)現(xiàn)有局限性異常時，選擇其中異常最著的1個電極與其附近的2個有關電極組成三角形，若出現(xiàn)位相倒置，則2個位相倒置的導程的公用電極處即為病灶部位。
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