2012年環(huán)境影響評價(jià)師《案例分析》重點(diǎn)知識(63)

　　案例分析$lesson$

　　一、建設(shè)項(xiàng)目與相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的相符性分析

　　"線寬1.2gm以下大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)制造"列入《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005年本)》中鼓勵(lì)類，是當(dāng)前國家重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。2001年11月，國家發(fā)展計(jì)劃委員會和科學(xué)技術(shù)部頒發(fā)的《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)領(lǐng)域指南》第17條規(guī)定，近期產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)是：以加強(qiáng)集成電路設(shè)計(jì)為重點(diǎn)，積極支持集成電路設(shè)計(jì)和整機(jī)開發(fā)相結(jié)合，設(shè)計(jì)開發(fā)市場需求較大的整機(jī)產(chǎn)品所需的各種專用集成電路和系統(tǒng)級芯片，線寬0.18gm以下的深亞微米集成電路及配套的IP庫。擴(kuò)大集成電路生產(chǎn)加工和封裝能力，提高工藝技術(shù)水平，擴(kuò)大產(chǎn)品品種和生產(chǎn)規(guī)模;積極鼓勵(lì)國內(nèi)外有經(jīng)濟(jì)實(shí)力和技術(shù)實(shí)力的企業(yè)以及投資機(jī)構(gòu)在國內(nèi)建立國際先進(jìn)水平的集成電路芯片生產(chǎn)線，提高我國集成電路生產(chǎn)技術(shù)水平。

　　原國家經(jīng)濟(jì)貿(mào)易委員會、財(cái)政部、科學(xué)技術(shù)部、國家稅務(wù)總局《關(guān)于印發(fā)<國家產(chǎn)業(yè)技術(shù)政策)的通知》(國經(jīng)貿(mào)技術(shù)[2002]444號)的"四、重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展方向，(一)高新技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化"中明確：要優(yōu)先發(fā)展深亞微米集成電路。

　　本項(xiàng)目產(chǎn)品方案為8英寸0.35-0.18gm芯片和12英寸0.13-0.09gm芯片，屬深亞微米集成電路，符合國家產(chǎn)業(yè)政策要求。

　　二、項(xiàng)目分析

　　1.工程分析的基本要求和要點(diǎn)

　　芯片生產(chǎn)的工藝復(fù)雜，約有數(shù)百道工序，使用50多種化學(xué)原料，其中包括20多種化學(xué)危險(xiǎn)品。此類工程應(yīng)給出全廠生產(chǎn)總流程和標(biāo)示排污節(jié)點(diǎn)的工藝流程圖，并應(yīng)有原、輔料消耗表。案例中將生產(chǎn)工藝概況為硅片清洗、氧化、光刻、蝕刻、擴(kuò)散、離子植入、化學(xué)氣相沉積、金屬化、后加工等九部分是適宜的。鑒于此類項(xiàng)目須用多種有毒有害化學(xué)品，工程分析應(yīng)作總物料衡算和主要污染因子，如氟、氯平衡。需要注意的是一些生產(chǎn)工藝會被重復(fù)多次，污染流程分析中應(yīng)按照具體工序分別統(tǒng)計(jì)污染源和"三廢"排放量。

　　2.污染源和污染物

　　(1)廢氣

　　芯片生產(chǎn)各工序涉及的有毒有害氣態(tài)污染化學(xué)物質(zhì)包括：

　　外延工序--SiH3、SiHCl3、SiH2Cl：、SiCl4、AsH，、B2H6、PH3、HCl、H：

　　清洗工序--112SO'、H202、HN03、HCI、HF、H3P04、NH4F、NHaOH

　　光刻工序--異丙醇、醋酸丁酯、甲苯、C12、BCl，、C：F6、C3F8、CF4、SF6、I-IF、HCl、NO、C3H8、HBr、H，S

　　化學(xué)機(jī)械拋光--NH40H、NH4C1、KOH、有機(jī)酸鹽

　　化學(xué)氣相沉積--SiH4、SiU：Cl：、SiHCl3、SiCl：、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NH3、HCl、I-IF、NH9

　　擴(kuò)散、離子注入--書F3、AsH，、PH3、H：、Sill4、SiH2C12、BBr3、BCl3、B：1l

　　金屬化工序：--SiH4、BCl，、AICl，、TiCld、WE6、TiF4、siF4、A1F3、BF3、sF6

　　對于酸堿廢氣(HF、HCl、H2SO：、HN03、H3P04、C12、NH3)采用濕式洗滌塔處理，凈化效率為95%。

　　對于特殊氣體(SiH4、PH，、AsH3)采用炭纖維加濕式洗滌塔處理，凈化效率為85%-90%.

　　對于有機(jī)廢氣(VOC)采用沸石濃縮轉(zhuǎn)輪燃燒法處理，凈化效率為95%。

　　(2)水污染物

　　芯片生產(chǎn)排放的廢水及處理方法為：

　　含氟廢水--來源顯影，刻蝕、CMP工序，處理方法為CaCl沉淀法

　　酸堿廢水--來源清洗工序，處理方法為中和法

　　純水制備再生廢水--來源活性炭或樹脂及沖洗水，處理方法為中和法

　　洗滌塔廢水--來源酸、堿噴淋，處理方法為中和法

　　研磨廢水--來源研磨工序，采用沉淀法處理

　　生活污水--生化法處理

　　(3)固體廢物

　　危險(xiǎn)廢物--硫酸廢渣。磷酸廢渣、顯影廢液、異丙醇廢液、硫酸銨廢液、廢有機(jī)溶劑、廢光刻膠、污水處理站污泥

　　一般固體廢物--廢金屬、廢玻璃、廢塑料(有機(jī)溶劑容器除外)、廢芯片、可回收包裝材料

　　生活垃圾

　　3.清潔生產(chǎn)

　　目前，國家公布的清潔生產(chǎn)名錄中，尚無集成電路的相關(guān)內(nèi)容。環(huán)評中應(yīng)在國內(nèi)外類比調(diào)查基礎(chǔ)上從生產(chǎn)工藝、原材料、能源消耗等方面論證，用單位產(chǎn)品的物耗、能耗、水耗，污染物產(chǎn)生量和排放量指標(biāo)量化分析。在原料清潔性評價(jià)中以下化學(xué)品應(yīng)不使用或盡量少使用：①含氯的有機(jī)溶劑②氟氯烴③高毒化學(xué)品。

　　以下幾個(gè)指標(biāo)應(yīng)在環(huán)評中關(guān)注：

　　單位產(chǎn)品的原輔材料使用量--磷酸、硝酸、硫酸、鹽酸、氫氟酸、氫氧化銨、光刻膠、顯影劑、丙酮、異丙醇。

　　單位產(chǎn)品的物耗、能耗指標(biāo)--新鮮水、高純水、電、大宗工藝氣體、壓縮空氣、蒸汽、冷量

　　單位產(chǎn)品污染物產(chǎn)生量和排放量--氯化物、HCl、硫酸霧、Cl：、硝酸霧、Sill4、磷酸霧、PH3\AsHl\VOCs、COD、NH、--N、SS、F、AOX、砷、硼、鎢

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